PD85050S,829-7013,STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET PD85050S, 8 A, Vds=28 V, 10引脚 PowerSO封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET PD85050S, 8 A, Vds=28 V, 10引脚 PowerSO封装

制造商零件编号：
PD85050S
库存编号：
829-7013
STMicroelectronics PD85050S
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PD85050S产品详细信息

射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

PD85050S产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  15.65mm  
  尺寸  15.65 x 9.6 x 3.6mm  
  典型功率增益  12 dB  
  典型输入电容值@Vds  110 pF@ 12 V  
  封装类型  PowerSO  
  高度  3.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.6mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  10  
  最大功率耗散  105 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  28 V  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  10 V  
  最小栅阈值电压  2V  
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PD85050S配套附件

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PD85050S相关搜索

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