DMP56D0UV-7,828-3231,DiodesZetex 双 P沟道 Si MOSFET DMP56D0UV-7, 160 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装 ,DiodesZetex
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

DiodesZetex 双 P沟道 Si MOSFET DMP56D0UV-7, 160 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装

制造商零件编号:
DMP56D0UV-7
库存编号:
828-3231
DiodesZetex DMP56D0UV-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMP56D0UV-7产品详细信息

双 P 通道 MOSFET,Diodes Inc.

DMP56D0UV-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.25 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  21.9 ns  
  典型接通延迟时间  4.46 ns  
  典型输入电容值@Vds  50.54 pF@ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.58 nC @ 4 V  
  封装类型  SOT-563  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.25mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  400 mW  
  最大连续漏极电流  160 mA  
  最大漏源电压  50 V  
  最大漏源电阻值  8 Ω  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

DMP56D0UV-7相关搜索

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.7mm  DiodesZetex 长度 1.7mm  MOSFET 晶体管 长度 1.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 1.7mm   尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm  DiodesZetex 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm   典型关断延迟时间 21.9 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 21.9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21.9 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21.9 ns   典型接通延迟时间 4.46 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.46 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.46 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.46 ns   典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V   封装类型 SOT-563  DiodesZetex 封装类型 SOT-563  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-563  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-563   高度 0.6mm  DiodesZetex 高度 0.6mm  MOSFET 晶体管 高度 0.6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.6mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  DiodesZetex 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.25mm  DiodesZetex 宽度 1.25mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm   每片芯片元件数目 2  DiodesZetex 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  DiodesZetex 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 400 mW  DiodesZetex 最大功率耗散 400 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 400 mW  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 400 mW   最大连续漏极电流 160 mA  DiodesZetex 最大连续漏极电流 160 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 160 mA  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 160 mA   最大漏源电压 50 V  DiodesZetex 最大漏源电压 50 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V   最大漏源电阻值 8 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 Ω   最大栅阈值电压 1.2V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMP56D0UV-7产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号