DMP56D0UFB-7,828-3222,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP56D0UFB-7, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 X1-DFN1006封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP56D0UFB-7, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 X1-DFN1006封装

制造商零件编号:
DMP56D0UFB-7
库存编号:
828-3222
DiodesZetex DMP56D0UFB-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMP56D0UFB-7产品详细信息

P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

DMP56D0UFB-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.08mm  
  尺寸  1.075 x 0.675 x 0.48mm  
  典型关断延迟时间  21.9 ns  
  典型接通延迟时间  4.46 ns  
  典型输入电容值@Vds  50.54 pF@ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.58 nC @ 4 V  
  封装类型  X1-DFN1006  
  高度  0.48mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.675mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  425 mW  
  最大连续漏极电流  200 mA  
  最大漏源电压  50 V  
  最大漏源电阻值  8 Ω  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMP56D0UFB-7产品技术参数资料

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