CSD16323Q3,827-4707,Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装 ,Texas Instruments
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装

制造商零件编号:
CSD16323Q3
库存编号:
827-4707
Texas Instruments CSD16323Q3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

CSD16323Q3产品详细信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

CSD16323Q3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.4mm  
  尺寸  3.4 x 3.4 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  13 ns  
  典型接通延迟时间  5.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  1020 pF @ 12.5 V  
  典型栅极电荷@Vgs  6.2 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  NexFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  3 W  
  最大连续漏极电流  60 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  7.2 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.4V  
  最大栅源电压  +10/-8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.9V  
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