2N7002DWH6327,827-0002,Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002DWH6327, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002DWH6327, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
2N7002DWH6327
库存编号:
827-0002
Infineon 2N7002DWH6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2N7002DWH6327产品详细信息

Infineon OptiMOS? 双电源 MOSFET

2N7002DWH6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 0.8mm  
  典型关断延迟时间  5.5 ns  
  典型接通延迟时间  3 ns  
  典型输入电容值@Vds  13 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.4 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-363  
  高度  0.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.25mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  300 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  4 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7002DWH6327产品技术参数资料

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