2N7002H6327,826-9465,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET 2N7002H6327, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Nexperia
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET 2N7002H6327, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
2N7002H6327
库存编号:
826-9465
Nexperia 2N7002H6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2N7002H6327产品详细信息

Infineon OptiMOS? 小信号 MOSFET

2N7002H6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 1mm  
  典型关断延迟时间  5.5 ns  
  典型接通延迟时间  3 ns  
  典型输入电容值@Vds  13 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.4 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  300 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  4 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7002H6327产品技术参数资料

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