RZF030P01TL,826-7829,ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装 ,ROHM
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ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装

制造商零件编号：
RZF030P01TL
制造商：
ROHM ROHM
库存编号：
826-7829
ROHM RZF030P01TL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RZF030P01TL产品详细信息

P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM

RZF030P01TL产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.7 x 0.77mm  
  典型关断延迟时间  210 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  1860 pF @ -6 V  
  典型栅极电荷@Vgs  18 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TUMT  
  高度  0.77mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  800 mW  
  最大连续漏极电流  3 A  
  最大漏源电压  12 V  
  最大漏源电阻值  144 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±10 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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RZF030P01TL产品技术参数资料

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