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安装类型	表面贴装
长度	2.1mm
尺寸	2.1 x 1.8 x 0.82mm
典型关断延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	7 ns
典型输入电容值@Vds	370 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	5 nC @ 4.5 V
封装类型	TUMT
高度	0.82mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.8mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	800 mW
最大连续漏极电流	2.5 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	160 mΩ
最大栅阈值电压	1.3V
最大栅源电压	±10 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.1mm  ROHM 长度 2.1mm  MOSFET 晶体管 长度 2.1mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 2.1mm   尺寸 2.1 x 1.8 x 0.82mm  ROHM 尺寸 2.1 x 1.8 x 0.82mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.1 x 1.8 x 0.82mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 2.1 x 1.8 x 0.82mm   典型关断延迟时间 35 ns  ROHM 典型关断延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns   典型接通延迟时间 7 ns  ROHM 典型接通延迟时间 7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns   典型输入电容值@Vds 370 pF @ 10 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 370 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 370 pF @ 10 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 370 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V  ROHM 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V   封装类型 TUMT  ROHM 封装类型 TUMT  MOSFET 晶体管 封装类型 TUMT  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 TUMT   高度 0.82mm  ROHM 高度 0.82mm  MOSFET 晶体管 高度 0.82mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 0.82mm   晶体管材料 Si  ROHM 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.8mm  ROHM 宽度 1.8mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm   类别 功率 MOSFET  ROHM 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ROHM MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ROHM 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 800 mW  ROHM 最大功率耗散 800 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW   最大连续漏极电流 2.5 A  ROHM 最大连续漏极电流 2.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.5 A  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.5 A   最大漏源电压 20 V  ROHM 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 160 mΩ  ROHM 最大漏源电阻值 160 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 160 mΩ  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 160 mΩ   最大栅阈值电压 1.3V  ROHM 最大栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V   最大栅源电压 ±10 V  ROHM 最大栅源电压 ±10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• RUF025N02 N-ch 20V 2.5A Power MOSFET