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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.8 x 0.95mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	7 ns
典型输入电容值@Vds	480 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	12 nC @ 10 V
封装类型	TSMT
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.8mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.25 W
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	125 mΩ
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• RRQ030P03 P-ch 30V 3A Power MOSFET