R5019ANX,826-7523,ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装 ,ROHM
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ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装

制造商零件编号:
R5019ANX
制造商:
ROHM ROHM
库存编号:
826-7523
ROHM R5019ANX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

R5019ANX产品详细信息

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

R5019ANX产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4.5 x 15mm  
  典型关断延迟时间  165 ns  
  典型接通延迟时间  40 ns  
  典型输入电容值@Vds  2050 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  55 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FM  
  高度  15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  50 W  
  最大连续漏极电流  19 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  240 mΩ  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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R5019ANX产品技术参数资料

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