IPB65R190C7ATMA1,825-9092,Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R190C7ATMA1, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R190C7ATMA1, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
IPB65R190C7ATMA1
库存编号:
825-9092
Infineon IPB65R190C7ATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPB65R190C7ATMA1产品详细信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

IPB65R190C7ATMA1产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  54 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  1150 pF @ 400 V  
  典型栅极电荷@Vgs  23 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C7  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  72 W  
  最大连续漏极电流  13 A  
  最大漏源电压  700 V  
  最大漏源电阻值  0.19 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPB65R190C7ATMA1产品技术参数资料

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