CSD25483F4T,823-9265,Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25483F4T, 1.6 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装 ,Texas Instruments
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Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25483F4T, 1.6 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装

制造商零件编号:
CSD25483F4T
库存编号:
823-9265
Texas Instruments CSD25483F4T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

CSD25483F4T产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.04mm  
  尺寸  1.04 x 0.64 x 0.35mm  
  典型关断延迟时间  17.4 ns  
  典型接通延迟时间  4.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  198 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.959 nC @ 4.5 V  
  封装类型  PICOSTAR  
  高度  0.35mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.64mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  FemtoFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  1.6 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  1.07 Ω  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  -12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.7V  
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