BSS315P,823-5497,Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS315P, 1.18 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS315P, 1.18 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
BSS315P
库存编号：
823-5497
Infineon BSS315P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSS315P产品详细信息

Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET

Infineon OptiMOS? P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS? P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

BSS315P产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 1mm  
  典型关断延迟时间  14.3 ns  
  典型接通延迟时间  5 ns  
  典型输入电容值@Vds  212 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  2.3 nC @ 5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS P  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  1.18 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  270 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

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