DMN3007LSS-13,823-3227,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3007LSS-13, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3007LSS-13, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
DMN3007LSS-13
库存编号：
823-3227
DiodesZetex DMN3007LSS-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

DMN3007LSS-13产品详细信息

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc

DMN3007LSS-13产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.95mm  
  尺寸  4.95 x 3.95 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  85.1 ns  
  典型接通延迟时间  10.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  2714 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  64.2 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.95mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  16 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  10 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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DMN3007LSS-13配套附件

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DMN3007LSS-13相关搜索

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.95mm  DiodesZetex 长度 4.95mm  MOSFET 晶体管 长度 4.95mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 4.95mm   尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm  DiodesZetex 尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm   典型关断延迟时间 85.1 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 85.1 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85.1 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85.1 ns   典型接通延迟时间 10.3 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 10.3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.3 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.3 ns   典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 15 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 15 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 64.2 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 64.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 64.2 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 64.2 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  DiodesZetex 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  DiodesZetex 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.95mm  DiodesZetex 宽度 3.95mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.95mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.95mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  DiodesZetex 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2.5 W  DiodesZetex 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 16 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 16 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A   最大漏源电压 30 V  DiodesZetex 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 10 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 10 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ   最大栅阈值电压 2.1V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMN3007LSS-13产品技术参数资料

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