ZVN4206GVTA,823-1836,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206GVTA, 1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206GVTA, 1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZVN4206GVTA
库存编号:
823-1836
DiodesZetex ZVN4206GVTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZVN4206GVTA产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

ZVN4206GVTA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.55mm  
  尺寸  6.55 x 3.55 x 1.65mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  100 pF @ 25 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.65mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.55mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  1 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  1.5 Ω  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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