DMN65D8LDW-7,822-2602,DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN65D8LDW-7, 200 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN65D8LDW-7, 200 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
DMN65D8LDW-7
库存编号:
822-2602
DiodesZetex DMN65D8LDW-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMN65D8LDW-7产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.

DMN65D8LDW-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.2mm  
  尺寸  2.2 x 1.35 x 1mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  3.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  22 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.87 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-363  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  400 mW  
  最大连续漏极电流  200 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  8 Ω  
  最大栅阈值电压  20V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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