DMN2016UTS-13,822-2542,DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2016UTS-13, 8.6 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2016UTS-13, 8.6 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装

制造商零件编号:
DMN2016UTS-13
库存编号:
822-2542
DiodesZetex DMN2016UTS-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMN2016UTS-13产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.

DMN2016UTS-13产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.5mm  
  尺寸  4.5 x 3.1 x 1.025mm  
  典型关断延迟时间  59.38 ns  
  典型接通延迟时间  10.39 ns  
  典型输入电容值@Vds  1495 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  16.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TSSOP  
  高度  1.025mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  3.1mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  880 mW  
  最大连续漏极电流  8.6 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  16.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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