SI8487DB-T1-E1,818-1429,Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装

制造商零件编号:
SI8487DB-T1-E1
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
818-1429
Vishay SI8487DB-T1-E1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI8487DB-T1-E1产品详细信息

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor

SI8487DB-T1-E1产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.6mm  
  尺寸  1.6 x 1.6 x 0.31mm  
  典型关断延迟时间  290 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  2240 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  52 nC @ 10 V  
  封装类型  微型支脚  
  高度  0.31mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  2.7 W  
  最大连续漏极电流  6.2 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  45 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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SI8487DB-T1-E1相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI8487DB-T1-E1产品技术参数资料

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