BUK78150-55A,816-7836,Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK78150-55A, 5.5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,Nexperia
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK78150-55A, 5.5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
BUK78150-55A
库存编号:
816-7836
Nexperia BUK78150-55A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BUK78150-55A产品详细信息

N 通道 MOSFET,1A 至 9A,Nexperia

BUK78150-55A产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.7mm  
  典型关断延迟时间  8 ns  
  典型接通延迟时间  3 ns  
  典型输入电容值@Vds  170 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  50 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.7mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  8 W  
  最大连续漏极电流  5.5 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  278 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

BUK78150-55A相关搜索

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  Nexperia 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm  Nexperia 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm   典型关断延迟时间 8 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns   典型接通延迟时间 3 ns  Nexperia 典型接通延迟时间 3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns   典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  Nexperia 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.7mm  Nexperia 高度 1.7mm  MOSFET 晶体管 高度 1.7mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.7mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Nexperia 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  Nexperia 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   每片芯片元件数目 1  Nexperia 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Nexperia 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3+Tab  Nexperia 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 8 W  Nexperia 最大功率耗散 8 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8 W  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8 W   最大连续漏极电流 5.5 A  Nexperia 最大连续漏极电流 5.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.5 A  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.5 A   最大漏源电压 55 V  Nexperia 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 278 mΩ  Nexperia 最大漏源电阻值 278 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 278 mΩ  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 278 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Nexperia 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 20 V  Nexperia 最大栅源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Nexperia 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BUK78150-55A产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号