SI4511DY-T1-GE3,812-3221,Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI4511DY-T1-GE3, 3.7 A,7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI4511DY-T1-GE3, 3.7 A,7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4511DY-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
812-3221
Vishay SI4511DY-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI4511DY-T1-GE3产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

SI4511DY-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.55mm  
  典型关断延迟时间  55 ns, 70 ns  
  典型接通延迟时间  12 (N) ns, 25 (P) ns  
  典型栅极电荷@Vgs  11.5 nC @ 10 V,17 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.55mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1.1 W  
  最大连续漏极电流  3.7 A,7.2 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  14 mΩ,50 mΩ  
  最大栅源电压  ±12(P 通道)V,±16(N 通道)V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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SI4511DY-T1-GE3相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4511DY-T1-GE3产品技术参数资料

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