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安装类型	通孔
长度	15.75mm
尺寸	15.75 x 5.15 x 20.15mm
典型关断延迟时间	132 ns
典型接通延迟时间	25 ns
典型输入电容值@Vds	5200 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	172 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	20.15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.15mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET
引脚数目	3
最大功率耗散	312 W
最大连续漏极电流	110 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	10.5 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• N-channel 100 V, 0.009 ohm, 110 A STripFET II Power MOSFET