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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.7 x 16.3mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	210 ns
典型输入电容值@Vds	3750 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	195 nC @ 20 V
封装类型	TO-220AB
高度	16.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	UltraFET
引脚数目	3
最大功率耗散	270 W
最大连续漏极电流	75 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	10 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm   典型关断延迟时间 40 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 210 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 210 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 210 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 210 ns   典型输入电容值@Vds 3750 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 3750 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3750 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3750 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 195 nC @ 20 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 195 nC @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 195 nC @ 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 195 nC @ 20 V   封装类型 TO-220AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.3mm  MOSFET 晶体管 高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 16.3mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 UltraFET  Fairchild Semiconductor 系列 UltraFET  MOSFET 晶体管 系列 UltraFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 UltraFET   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 270 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 270 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 270 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 270 W   最大连续漏极电流 75 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 75 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 75 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 75 A   最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 10 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 10 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• HUF75645P3, HUF75645S3S, N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V 75A 14mOhm Data Sheet