HUF75344P3,807-6689,Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75344P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75344P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
HUF75344P3
库存编号:
807-6689
Fairchild Semiconductor HUF75344P3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

HUF75344P3产品详细信息

UltraFET? MOSFET,Fairchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

HUF75344P3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.7 x 16.3mm  
  典型关断延迟时间  46 ns  
  典型接通延迟时间  187 ns  
  典型输入电容值@Vds  3200 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  175 nC @ 20 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  UltraFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  285 W  
  最大连续漏极电流  75 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  8 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

HUF75344P3相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm   典型关断延迟时间 46 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 46 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 46 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 46 ns   典型接通延迟时间 187 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 187 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 187 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 187 ns   典型输入电容值@Vds 3200 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 3200 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3200 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3200 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 175 nC @ 20 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 175 nC @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 175 nC @ 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 175 nC @ 20 V   封装类型 TO-220AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.3mm  MOSFET 晶体管 高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 16.3mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 UltraFET  Fairchild Semiconductor 系列 UltraFET  MOSFET 晶体管 系列 UltraFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 UltraFET   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 285 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 285 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 285 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 285 W   最大连续漏极电流 75 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 75 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 75 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 75 A   最大漏源电压 55 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 8 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 8 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号