FQH8N100C,807-5857,Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
FQH8N100C
库存编号：
807-5857
Fairchild Semiconductor FQH8N100C
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FQH8N100C产品详细信息

QFET? N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET? 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

FQH8N100C产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 4.82 x 20.82mm  
  典型关断延迟时间  122 ns  
  典型接通延迟时间  50 ns  
  典型输入电容值@Vds  2475 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  53 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.82mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.82mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  QFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  225 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  1000 V  
  最大漏源电阻值  1.45 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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