FDG6317NZ,806-3400,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDG6317NZ, 700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDG6317NZ, 700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装

制造商零件编号:
FDG6317NZ
库存编号:
806-3400
Fairchild Semiconductor FDG6317NZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDG6317NZ产品详细信息

PowerTrench? 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDG6317NZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1mm  
  典型关断延迟时间  7.5 ns  
  典型接通延迟时间  5.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  66.5 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.76 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SC-70  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.25mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  6  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  1.8S  
  最大功率耗散  300 mW  
  最大连续漏极电流  700 mA  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  560 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
关键词         

FDG6317NZ相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Fairchild Semiconductor 长度 2mm  MOSFET 晶体管 长度 2mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 1mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 2 x 1.25 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 1mm   典型关断延迟时间 7.5 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 7.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 7.5 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 7.5 ns   典型接通延迟时间 5.5 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 5.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.5 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.5 ns   典型输入电容值@Vds 66.5 pF @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 66.5 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 66.5 pF @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 66.5 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V   封装类型 SC-70  Fairchild Semiconductor 封装类型 SC-70  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-70  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SC-70   高度 1mm  Fairchild Semiconductor 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.25mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.25mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 6  Fairchild Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 1.8S  Fairchild Semiconductor 正向跨导 1.8S  MOSFET 晶体管 正向跨导 1.8S  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 1.8S   最大功率耗散 300 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 300 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 mW  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 mW   最大连续漏极电流 700 mA  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 700 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 700 mA  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 700 mA   最大漏源电压 20 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 560 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 560 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 560 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 560 mΩ   最大栅源电压 ±12 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.6V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.6V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号