IXFQ20N50P3,802-4445,IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号:
IXFQ20N50P3
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
802-4445
IXYS IXFQ20N50P3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXFQ20N50P3产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Polar3? 系列

一系列 IXYS Polar3? 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFQ20N50P3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.8mm  
  尺寸  15.8 x 4.9 x 20.3mm  
  典型关断延迟时间  43 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1800 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  36 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  380 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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