NID9N05ACLT4G,802-1761,ON Semiconductor SMARTDISCRETES 系列 N沟道 Si MOSFET NID9N05ACLT4G, 9 A, Vds=59 V, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ON Semiconductor SMARTDISCRETES 系列 N沟道 Si MOSFET NID9N05ACLT4G, 9 A, Vds=59 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
NID9N05ACLT4G
库存编号:
802-1761
ON Semiconductor NID9N05ACLT4G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NID9N05ACLT4G产品详细信息

保护 MOSFET SMARTDISCRETES?,ON Semiconductor

自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD(静电放电)保护。

NID9N05ACLT4G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.22mm  
  尺寸  6.22 x 6.73 x 2.38mm  
  典型关断延迟时间  2500 ns  
  典型接通延迟时间  200 ns  
  典型输入电容值@Vds  155 pF @ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.38mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.73mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SMARTDISCRETES  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.74 W  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  59 V  
  最大漏源电阻值  1.21 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  15 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

NID9N05ACLT4G配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

NID9N05ACLT4G相关搜索

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.22mm  ON Semiconductor 长度 6.22mm  MOSFET 晶体管 长度 6.22mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.22mm   尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm  ON Semiconductor 尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm   典型关断延迟时间 2500 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 2500 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 2500 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 2500 ns   典型接通延迟时间 200 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 200 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 200 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 200 ns   典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V   封装类型 DPAK  ON Semiconductor 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.38mm  ON Semiconductor 高度 2.38mm  MOSFET 晶体管 高度 2.38mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.38mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.73mm  ON Semiconductor 宽度 6.73mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.73mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.73mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SMARTDISCRETES  ON Semiconductor 系列 SMARTDISCRETES  MOSFET 晶体管 系列 SMARTDISCRETES  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 SMARTDISCRETES   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.74 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 1.74 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.74 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.74 W   最大连续漏极电流 9 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A   最大漏源电压 59 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 59 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 59 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 59 V   最大漏源电阻值 1.21 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 1.21 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.21 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.21 Ω   最大栅阈值电压 2.5V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 15 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 15 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 15 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 15 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

NID9N05ACLT4G产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号