NTMS4801NR2G,802-1484,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4801NR2G, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4801NR2G, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
NTMS4801NR2G
库存编号:
802-1484
ON Semiconductor NTMS4801NR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTMS4801NR2G产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor

NTMS4801NR2G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  29 ns  
  典型接通延迟时间  10.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  1630 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.1 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  12.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
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NTMS4801NR2G产品技术参数资料

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