IXFT18N100Q3,801-1461,IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装 ,IXYS
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装

制造商零件编号:
IXFT18N100Q3
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
801-1461
IXYS IXFT18N100Q3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXFT18N100Q3产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管
低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度

IXFT18N100Q3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  16.05mm  
  尺寸  16.05 x 14 x 5.1mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  37 ns  
  典型输入电容值@Vds  4890 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  90 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-268  
  高度  5.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  14mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Q3-Class  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  830 W  
  最大连续漏极电流  18 A  
  最大漏源电压  1000 V  
  最大漏源电阻值  660 mΩ  
  最大栅阈值电压  6.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

IXFT18N100Q3相关搜索

安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 16.05mm  IXYS 长度 16.05mm  MOSFET 晶体管 长度 16.05mm  IXYS MOSFET 晶体管 长度 16.05mm   尺寸 16.05 x 14 x 5.1mm  IXYS 尺寸 16.05 x 14 x 5.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.05 x 14 x 5.1mm  IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 16.05 x 14 x 5.1mm   典型关断延迟时间 40 ns  IXYS 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 37 ns  IXYS 典型接通延迟时间 37 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 37 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 37 ns   典型输入电容值@Vds 4890 pF @ 25 V  IXYS 典型输入电容值@Vds 4890 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4890 pF @ 25 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4890 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  IXYS 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V   封装类型 TO-268  IXYS 封装类型 TO-268  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-268  IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 TO-268   高度 5.1mm  IXYS 高度 5.1mm  MOSFET 晶体管 高度 5.1mm  IXYS MOSFET 晶体管 高度 5.1mm   晶体管材料 Si  IXYS 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  IXYS 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 14mm  IXYS 宽度 14mm  MOSFET 晶体管 宽度 14mm  IXYS MOSFET 晶体管 宽度 14mm   类别 功率 MOSFET  IXYS 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  IXYS 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  IXYS 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  IXYS 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HiperFET, Q3-Class  IXYS 系列 HiperFET, Q3-Class  MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Q3-Class  IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Q3-Class   引脚数目 3  IXYS 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 830 W  IXYS 最大功率耗散 830 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 830 W  IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 830 W   最大连续漏极电流 18 A  IXYS 最大连续漏极电流 18 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A  IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A   最大漏源电压 1000 V  IXYS 最大漏源电压 1000 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1000 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1000 V   最大漏源电阻值 660 mΩ  IXYS 最大漏源电阻值 660 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 660 mΩ  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 660 mΩ   最大栅阈值电压 6.5V  IXYS 最大栅阈值电压 6.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 6.5V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 6.5V   最大栅源电压 ±30 V  IXYS 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  IXYS 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  IXYS 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号