PSMN7R0-100XS,798-3016,Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-100XS, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装 ,Nexperia
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-100XS, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装

制造商零件编号:
PSMN7R0-100XS
库存编号:
798-3016
Nexperia PSMN7R0-100XS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PSMN7R0-100XS产品详细信息

N 通道 MOSFET,10A 至 99A,Nexperia

PSMN7R0-100XS产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.3mm  
  尺寸  10.3 x 4.6 x 15.8mm  
  典型关断延迟时间  94 ns  
  典型接通延迟时间  29 ns  
  典型输入电容值@Vds  6686 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  121 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220F  
  高度  15.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  57.7 W  
  最大连续漏极电流  55 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  6.8 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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