PSMN7R0-100XS,798-3016,Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-100XS, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装 ,Nexperia
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PSMN7R0-100XS
Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-100XS, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
制造商零件编号:
PSMN7R0-100XS
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
798-3016
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PSMN7R0-100XS产品详细信息
N 通道 MOSFET,10A 至 99A,Nexperia
PSMN7R0-100XS产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.3mm
尺寸
10.3 x 4.6 x 15.8mm
典型关断延迟时间
94 ns
典型接通延迟时间
29 ns
典型输入电容值@Vds
6686 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
121 nC @ 10 V
封装类型
TO-220F
高度
15.8mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
57.7 W
最大连续漏极电流
55 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
6.8 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
PSMN7R0-100XS相关搜索
安装类型 通孔
Nexperia 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.3mm
Nexperia 长度 10.3mm
MOSFET 晶体管 长度 10.3mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 10.3mm
尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm
Nexperia 尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm
典型关断延迟时间 94 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 94 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 94 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 29 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 29 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 29 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 29 ns
典型输入电容值@Vds 6686 pF @ 50 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 6686 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6686 pF @ 50 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6686 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V
封装类型 TO-220F
Nexperia 封装类型 TO-220F
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F
高度 15.8mm
Nexperia 高度 15.8mm
MOSFET 晶体管 高度 15.8mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 15.8mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.6mm
Nexperia 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
Nexperia 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Nexperia MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 57.7 W
Nexperia 最大功率耗散 57.7 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 57.7 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 57.7 W
最大连续漏极电流 55 A
Nexperia 最大连续漏极电流 55 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A
最大漏源电压 100 V
Nexperia 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 6.8 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 6.8 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6.8 mΩ
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6.8 mΩ
最大栅阈值电压 4V
Nexperia 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Nexperia 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 2V
Nexperia 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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PSMN7R0-100XS产品技术参数资料
PSMN7R0-100XS, N-channel 100V, 6.8mΩ standard level MOSFET in TO220F Data Sheet
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