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安装类型	通孔
长度	10.3mm
尺寸	10.3 x 4.7 x 16mm
典型关断延迟时间	58 ns
典型接通延迟时间	26 ns
典型输入电容值@Vds	4426 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	70.8 nC @ 10 V
封装类型	TO-220AB
高度	16mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.7mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	211 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	10.6 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  NXP 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.3mm  NXP 长度 10.3mm  MOSFET 晶体管 长度 10.3mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 10.3mm   尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm  NXP 尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm   典型关断延迟时间 58 ns  NXP 典型关断延迟时间 58 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns   典型接通延迟时间 26 ns  NXP 典型接通延迟时间 26 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 26 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 26 ns   典型输入电容值@Vds 4426 pF @ 30 V  NXP 典型输入电容值@Vds 4426 pF @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4426 pF @ 30 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4426 pF @ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 70.8 nC @ 10 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 70.8 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70.8 nC @ 10 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70.8 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  NXP 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16mm  NXP 高度 16mm  MOSFET 晶体管 高度 16mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 16mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  NXP 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 211 W  NXP 最大功率耗散 211 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 211 W  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 211 W   最大连续漏极电流 100 A  NXP 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 60 V  NXP 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 10.6 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 10.6 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10.6 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10.6 mΩ   最大栅阈值电压 4V  NXP 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  NXP 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  NXP 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  NXP 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• PSMN4R6-60PS, N-channel 60V, 4.6mΩ standard level MOSFET in TO220 Data Sheet