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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间	75 ns
典型接通延迟时间	36 ns
典型输入电容值@Vds	5093 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	78 nC @ 10 V
封装类型	SOT-669
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.1mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	215 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	1.65 mΩ
最大栅阈值电压	1.95V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.05V
关键词

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• PSMN1R2-30YLC, N-channel 30V, 1.25mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Data Sheet