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安装类型	通孔
长度	10.3mm
尺寸	10.3 x 4.6 x 15.8mm
典型关断延迟时间	39 ns
典型接通延迟时间	16 ns
典型输入电容值@Vds	2404 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	46.2 nC @ 10 V
封装类型	TO-220F
高度	15.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	46.1 W
最大连续漏极电流	32 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	16 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  NXP 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.3mm  NXP 长度 10.3mm  MOSFET 晶体管 长度 10.3mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 10.3mm   尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm  NXP 尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.6 x 15.8mm   典型关断延迟时间 39 ns  NXP 典型关断延迟时间 39 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns   典型接通延迟时间 16 ns  NXP 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 2404 pF @ 50 V  NXP 典型输入电容值@Vds 2404 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2404 pF @ 50 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2404 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 46.2 nC @ 10 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 46.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 46.2 nC @ 10 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 46.2 nC @ 10 V   封装类型 TO-220F  NXP 封装类型 TO-220F  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F   高度 15.8mm  NXP 高度 15.8mm  MOSFET 晶体管 高度 15.8mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 15.8mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  NXP 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 46.1 W  NXP 最大功率耗散 46.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 46.1 W  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 46.1 W   最大连续漏极电流 32 A  NXP 最大连续漏极电流 32 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A   最大漏源电压 100 V  NXP 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 16 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 16 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16 mΩ   最大栅阈值电压 4V  NXP 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  NXP 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  NXP 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  NXP 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• PSMN016-100XS, N-channel 100V 16mΩ standard level MOSFET Data Sheet