PMDT290UNE,798-2748,NXP 双 Si N沟道 MOSFET PMDT290UNE, 800mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装 ,Nexperia
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NXP 双 Si N沟道 MOSFET PMDT290UNE, 800mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装

制造商零件编号:
PMDT290UNE
库存编号:
798-2748
Nexperia PMDT290UNE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PMDT290UNE产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Nexperia

PMDT290UNE产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.3 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  86 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  55 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.45 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-666  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.09 W  
  最大连续漏极电流  800mA  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  380 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.95V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.5V  
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