TK46E08N1,796-5092,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK46E08N1, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 ,Toshiba
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK46E08N1, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
TK46E08N1
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
796-5092
Toshiba TK46E08N1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK46E08N1产品详细信息

TK46E08N1产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.16mm  
  尺寸  10.16 x 4.45 x 15.1mm  
  典型关断延迟时间  51 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  2500 pF @ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  37 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  103 W  
  最大连续漏极电流  80 A  
  最大漏源电压  80 V  
  最大漏源电阻值  8.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

TK46E08N1配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

TK46E08N1相关搜索

安装类型 通孔  Toshiba 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.16mm  Toshiba 长度 10.16mm  MOSFET 晶体管 长度 10.16mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 10.16mm   尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm  Toshiba 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm   典型关断延迟时间 51 ns  Toshiba 典型关断延迟时间 51 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 51 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 51 ns   典型接通延迟时间 30 ns  Toshiba 典型接通延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns   典型输入电容值@Vds 2500 pF @ 40 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 2500 pF @ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2500 pF @ 40 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2500 pF @ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Toshiba 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.1mm  Toshiba 高度 15.1mm  MOSFET 晶体管 高度 15.1mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 15.1mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.45mm  Toshiba 宽度 4.45mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.45mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.45mm   类别 功率 MOSFET  Toshiba 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TK  Toshiba 系列 TK  MOSFET 晶体管 系列 TK  Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TK   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 103 W  Toshiba 最大功率耗散 103 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 103 W  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 103 W   最大连续漏极电流 80 A  Toshiba 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 80 V  Toshiba 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 8.4 mΩ  Toshiba 最大漏源电阻值 8.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8.4 mΩ  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8.4 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Toshiba 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Toshiba 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号