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安装类型	表面贴装
长度	15.8mm
典型关断延迟时间	99.9 ns
典型接通延迟时间	25.6 ns
典型输入电容值@Vds	6665 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	114.6 nC @ 10 V
晶体管配置	单
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET F3
最大功率耗散	315 W
最大连续漏极电流	180 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	4.5 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• N-channel 100 V, 180 A STripFET F3 Datasheet