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安装类型	通孔
长度	15.7mm
尺寸	15.7 x 5.7 x 26.7mm
典型关断延迟时间	27 ns
典型接通延迟时间	6 ns
典型输入电容值@Vds	180 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	13 nC @ 10 V
封装类型	TO-3PF
高度	26.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh K3, SuperMESH3
引脚数目	3
最大功率耗散	20 W
最大连续漏极电流	1.4 A
最大漏源电压	1050 V
最大漏源电阻值	11 Ω
最大栅阈值电压	4.5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• Power MOSFET N ch SuperMESH3 1050V 1.4A Data Sheet