关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	3.05mm
尺寸	3.05 x 1.75 x 1.3mm
典型输入电容值@Vds	550 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs	6 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-23
高度	1.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.75mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET V
引脚数目	6
最大功率耗散	1.6 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	40 mΩ
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.7V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.05mm  STMicroelectronics 长度 3.05mm  MOSFET 晶体管 长度 3.05mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 3.05mm   尺寸 3.05 x 1.75 x 1.3mm  STMicroelectronics 尺寸 3.05 x 1.75 x 1.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.05 x 1.75 x 1.3mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 3.05 x 1.75 x 1.3mm   典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V   典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-23  STMicroelectronics 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.3mm  STMicroelectronics 高度 1.3mm  MOSFET 晶体管 高度 1.3mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 1.3mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.75mm  STMicroelectronics 宽度 1.75mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET V  STMicroelectronics 系列 STripFET V  MOSFET 晶体管 系列 STripFET V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET V   引脚数目 6  STMicroelectronics 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.6 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 1.6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W   最大连续漏极电流 5 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A   最大漏源电压 20 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 40 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 40 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ   最大栅源电压 ±8 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.7V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  

• N-Channel 20V, 0.025 Ohm typ., 5A STripFET V Power MOSFET in SOT-23 and SOT23-6L Packages Data Sheet