DMG4N65CT,790-4570,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4N65CT, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4N65CT, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
DMG4N65CT
库存编号:
790-4570
DiodesZetex DMG4N65CT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMG4N65CT产品详细信息

N 通道 MOSFET,100V 至 950V,Diodes Inc

DMG4N65CT产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.7mm  
  尺寸  10.7 x 4.85 x 16.5mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  15.1 ns  
  典型输入电容值@Vds  900 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13.5 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.85mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2.19 W, 9.14 W  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  3 Ω  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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DMG4N65CT产品技术参数资料

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