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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4.47 x 1.14mm
典型关断延迟时间	72 ns
典型接通延迟时间	28 ns
典型输入电容值@Vds	2425 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs	71 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAK SO-8L
高度	1.14mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.47mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	ThunderFET
引脚数目	5
最大功率耗散	69.4 W
最大连续漏极电流	60 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	9.5 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

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• SiJ482DP, N-Channel 80V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet