STY100NM60N,783-2927,STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY100NM60N, 98 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY100NM60N, 98 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装

制造商零件编号:
STY100NM60N
库存编号:
783-2927
STMicroelectronics STY100NM60N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STY100NM60N产品详细信息

N 通道 MDmesh?,600V/650V,STMicroelectronics

STY100NM60N产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 5.3 x 20.3mm  
  典型关断延迟时间  372 ns  
  典型接通延迟时间  45 ns  
  典型输入电容值@Vds  9600 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  330 nC @ 10 V  
  封装类型  Max247  
  高度  20.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  625 W  
  最大连续漏极电流  98 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  29 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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QQ:800152669

STY100NM60N产品技术参数资料

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