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安装类型	表面贴装
长度	1.05mm
尺寸	1.05 x 0.85 x 0.4mm
典型关断延迟时间	142 ns，196 ns
典型接通延迟时间	16.5 ns，26 ns
典型输入电容值@Vds	12.5 pF @ 15 V
封装类型	SOT-963
高度	0.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	0.85mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	200 mW
最大连续漏极电流	250 mA，280 mA
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	4.5 Ω，10 Ω
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.05mm  ON Semiconductor 长度 1.05mm  MOSFET 晶体管 长度 1.05mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 1.05mm   尺寸 1.05 x 0.85 x 0.4mm  ON Semiconductor 尺寸 1.05 x 0.85 x 0.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.05 x 0.85 x 0.4mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 1.05 x 0.85 x 0.4mm   典型关断延迟时间 142 ns，196 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 142 ns，196 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 142 ns，196 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 142 ns，196 ns   典型接通延迟时间 16.5 ns，26 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 16.5 ns，26 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16.5 ns，26 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16.5 ns，26 ns   典型输入电容值@Vds 12.5 pF @ 15 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 12.5 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12.5 pF @ 15 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12.5 pF @ 15 V   封装类型 SOT-963  ON Semiconductor 封装类型 SOT-963  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-963  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-963   高度 0.4mm  ON Semiconductor 高度 0.4mm  MOSFET 晶体管 高度 0.4mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.4mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 0.85mm  ON Semiconductor 宽度 0.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.85mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 0.85mm   类别 小信号  ON Semiconductor 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N，P  ON Semiconductor 通道类型 N，P  MOSFET 晶体管 通道类型 N，P  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N，P   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  ON Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 200 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 200 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大连续漏极电流 250 mA，280 mA  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 250 mA，280 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 250 mA，280 mA  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 250 mA，280 mA   最大漏源电压 20 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 4.5 Ω，10 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 4.5 Ω，10 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 Ω，10 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 Ω，10 Ω   最大栅阈值电压 1V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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