NTJD1155LT1G,780-0605,ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装

制造商零件编号:
NTJD1155LT1G
库存编号:
780-0605
ON Semiconductor NTJD1155LT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTJD1155LT1G产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor

NTJD1155LT1G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.2mm  
  尺寸  2.2 x 1.35 x 1mm  
  封装类型  SC-88  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  N+P 负载开关  
  宽度  1.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  400 mW  
  最大连续漏极电流  1.3 A  
  最大漏源电压  8 V  
  最大漏源电阻值  320 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  8(N 沟道)V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NTJD1155LT1G产品技术参数资料

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