NTHS4101PT1G,780-0595,ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS4101PT1G, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS4101PT1G, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装

制造商零件编号:
NTHS4101PT1G
库存编号:
780-0595
ON Semiconductor NTHS4101PT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTHS4101PT1G产品详细信息

P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor

NTHS4101PT1G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  75 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  2100 pF@ -6 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 4.5 V 直流  
  封装类型  ChipFET  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  6.7 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  52 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NTHS4101PT1G产品技术参数资料

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