3LN01M-TL-E,774-0783,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 3LN01M-TL-E, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 MCP封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 3LN01M-TL-E, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 MCP封装

制造商零件编号:
3LN01M-TL-E
库存编号:
774-0783
ON Semiconductor 3LN01M-TL-E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

3LN01M-TL-E产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor

3LN01M-TL-E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 0.9mm  
  典型关断延迟时间  155 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  7 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.58 nC @ 10 V  
  封装类型  MCP  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.25mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 mW  
  最大连续漏极电流  150 mA  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  12.8 Ω  
  最大栅阈值电压  1.3V  
  最大栅源电压  ±10 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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3LN01M-TL-E产品技术参数资料

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