SI4532DY,772-8938,Fairchild Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A,3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A,3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4532DY
库存编号:
772-8938
Fairchild Semiconductor SI4532DY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI4532DY产品详细信息

增强模式双 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

SI4532DY产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  27 ns,29 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns,18 ns  
  典型输入电容值@Vds  235 pF@ 10 V,420 pF@ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  3.5 A,3.9 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  95 mΩ,190 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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