DMN4060SVT-7,770-5137,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4060SVT-7, 4.8 A, Vds=45 V, 6引脚 TSOT-26封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4060SVT-7, 4.8 A, Vds=45 V, 6引脚 TSOT-26封装

制造商零件编号:
DMN4060SVT-7
库存编号:
770-5137
DiodesZetex DMN4060SVT-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMN4060SVT-7产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

DMN4060SVT-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.6 x 0.9mm  
  典型关断延迟时间  20.1 ns  
  典型接通延迟时间  6.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1287 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22.4 nC @ 10 V  
  封装类型  TSOT-26  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.8 W  
  最大连续漏极电流  4.8 A  
  最大漏源电压  45 V  
  最大漏源电阻值  62 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMN4060SVT-7产品技术参数资料

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