VS-FB190SA10,762-0153,Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装 ,Vishay
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VS-FB190SA10
Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
制造商零件编号:
VS-FB190SA10
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
762-0153
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
VS-FB190SA10产品详细信息
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor
VS-FB190SA10产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
38.3mm
尺寸
38.3 x 25.7 x 12.3mm
典型关断延迟时间
181 ns
典型接通延迟时间
45 ns
典型输入电容值@Vds
10700 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
250 nC @ 10 V
封装类型
SOT-227
高度
12.3mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
25.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
568 W
最大连续漏极电流
190 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
6.5 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号:
823999
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
762-2124
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长度 38.3mm
Vishay 长度 38.3mm
MOSFET 晶体管 长度 38.3mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 38.3mm
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
Vishay 尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
MOSFET 晶体管 尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
典型关断延迟时间 181 ns
Vishay 典型关断延迟时间 181 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 181 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 181 ns
典型接通延迟时间 45 ns
Vishay 典型接通延迟时间 45 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns
典型输入电容值@Vds 10700 pF@ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 10700 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 10700 pF@ 25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 10700 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V
封装类型 SOT-227
Vishay 封装类型 SOT-227
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-227
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-227
高度 12.3mm
Vishay 高度 12.3mm
MOSFET 晶体管 高度 12.3mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 12.3mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 25.7mm
Vishay 宽度 25.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 25.7mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 25.7mm
类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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引脚数目 4
Vishay 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
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最大功率耗散 568 W
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MOSFET 晶体管 最大功率耗散 568 W
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最大连续漏极电流 190 A
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最大漏源电压 100 V
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最大漏源电阻值 6.5 mΩ
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最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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VS-FB190SA10产品技术参数资料
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