VS-FB190SA10,762-0153,Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装

制造商零件编号：
VS-FB190SA10
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
762-0153
Vishay VS-FB190SA10
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

VS-FB190SA10产品详细信息

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor

VS-FB190SA10产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  38.3mm  
  尺寸  38.3 x 25.7 x 12.3mm  
  典型关断延迟时间  181 ns  
  典型接通延迟时间  45 ns  
  典型输入电容值@Vds  10700 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  250 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-227  
  高度  12.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  25.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  568 W  
  最大连续漏极电流  190 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  6.5 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

VS-FB190SA10产品技术参数资料

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