STU60N3LH5,761-0235,STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STU60N3LH5, 48 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STU60N3LH5, 48 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装

制造商零件编号:
STU60N3LH5
库存编号:
761-0235
STMicroelectronics STU60N3LH5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STU60N3LH5产品详细信息

N 通道 STripFET? V,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STU60N3LH5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 2.4 x 6.9mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1350 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.8 nC @ 5 V  
  封装类型  TO-251  
  高度  6.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET V  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  60 W  
  最大连续漏极电流  48 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  11.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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