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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.65mm
典型关断延迟时间	27 ns
典型接通延迟时间	7 ns
典型输入电容值@Vds	460 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
封装类型	SOIC
高度	1.65mm
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	45 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• N-Channel 20V - 0.030 Ohm - 5A - SO-8 2.7V-DRIVE STripFET(TM) II POWER MOSFET